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MDPmap單晶(jing)和(he)多晶(jing)硅片壽命測量儀(yi)被設計成(cheng)一(yi)個(ge)緊湊的臺式非接觸電(dian)(dian)學表征工具(ju)，用于離線(xian)生(sheng)產控制(zhi)或研發，在穩態或短脈沖激(ji)勵（μ-PCD）下，在一(yi)個(ge)寬的注入范圍內測量參數(shu)，如載流子壽命、光導(dao)率、電(dian)(dian)阻(zu)率和(he)缺陷信息(xi)。自動化(hua)(hua)的樣品識別(bie)和(he)參數(shu)設置允許輕松(song)適(shi)應各種(zhong)不同(tong)的樣品，包括外延層和(he)經過不同(tong)制(zhi)備階(jie)段的晶(jing)圓，從原生(sheng)晶(jing)圓到(dao)高(gao)達95%的金(jin)屬化(hua)(hua)晶(jing)圓。